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微流控芯片的光刻工艺和产品特点说明

更新时间:2022-10-21点击次数:998
   微流控芯片的光刻工艺:
  光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造,工艺如下:
  (a)仔细地将基片洗净;
 
  (b)在干净的基片表面镀上一层阻挡层,例如铬、二氧化硅、氮化硅等;
 
  (c)再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它的粘度有关,并与甩胶机的旋转速度的平方根成反比;
 
  (d)在光掩模上制备所需的通道图案。将光掩模复盖在基片上,用紫外光照射涂有光刻胶的基片,光刻胶发生光化学反应;
 
  (e)用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样,可用制版的方法将底片上的二维几何图形精确地复制到光刻胶层上;
 
  (f)烘干后,利用未曝光的光刻胶的保护作用,采用化学腐蚀的方法在阻挡层上精确腐蚀出底片上平面二维图形。
 
  微流控芯片的产品特点:
  提供真空环境,提高成功率
 
  采用真空热压系统,可根据不同材料、不同芯片通道宽度、深度设定压力、温度、时间,以达到热压及键合要求。
 
  控温准确,面内热分布均匀
 
  设备使用恒温控制加热技术,实现温度精确控制;铝合金工作平台,上下面平整,热导速度快、热导均一。
 
  适用于多种尺寸芯片加工,实验成本低
 
  设备加热键合面积大,涵盖常用尺寸的微流控芯片。
 
  参数精准可调
 
  该设备可针对不同材料设置键合温度、压力与真空度,精准低偏差。
 
  操作灵活简单,上手快
 
  工作平台操作方式为上下芯片手工对准贴合,自动加压键合。
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